Энергетическая зонная структура и химическая связь в кристаллах CdSnSb2
Abstract
На основе методов эмпирического псевдопотенциала, функционала плотности и метода подрешеток впервые вычислены энергетическая зонная структура и карты распределения валентных электронов полупроводникового соединения CdSnSb2, синтез которого затруднен технологическими проблемами, обусловленными его специфическими физико-химическими свойствами.
About the Authors
Юрий Басалаев
Кемеровский государственный университет
Russian Federation
Russian Federation
Екатерина Китова
Кемеровский государственный университет
Russian Federation
Russian Federation
Виктория Пермина
Кемеровский государственный университет
Russian Federation
Russian Federation
Анатолий Поплавной
Кемеровский государственный университет
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Goodman С. Н. L. The prediction of semiconducting properties of inorganic compounds // J. Phys. Chem. Sol. 1958. V. 6. № 4. P. 305–314.
2. Полупроводники А2В4С52 / под. общ. ред. H. А. Горюновой, Ю. А. Валова. М.: Советское радио, 1974. 374 с.
3. Continenza A., Massidda S., Freeman A. J., Pascale de Т. M., Meloni F., Serra M. Structural and electronic properties of narrow-gap ABC2 chalcopyrite semiconductors // Phys. Rev. B. 1989. V. 46. N 16. P. 10070–10077.
4. Хейне В., Коэн М., Уэйр Д. Теория псевдопотенциала. М: Мир, 1973. 557 с.
5. Рангелов И. М. Интерполяционные формфакторы кристаллического потенциала // ФММ, 1982. Т. 53. № 4. С. 628–638.
6. Weisz G. Band structure and Fermi surface of white tin // Phys. Rev. 1966. V. 149. № 2. P. 504–518.
7. Herman F., Skilman S. Atomic structure calculation. NY.: Prentice-Hall, Englewood Cliffs, 1963. 430 р.
8. Полыгалов Ю. И., Басалаев Ю. М., Золотарев М. Л., Поплавной А. С. Зонная структура, плотность состояний и оптические свойства ZnSnSb2 // ФТП. 1989. Т. 23. № 2. С. 279–282.
9. Shirakata S., Isomura S. Calculation of electronic energy band structure of II-IV-V2 type chalcopyrite semiconductors by empirical pseudo-potential metod // Memoirs of the Faculty of Eng. Ehime Univ. 1997. 16. P. 69–82
10. Shirakata S., Matsishima S., Isomura S., Kohyama M. Application of semiempirical tight-binding method to band calculation of chalcopyrite semiconductors // Memoirs of the Faculty of Eng. Ehime Univ. 1997. V. 16. P. 83–100.
11. Журавлев Ю. H., Басалаев Ю. М., Поплавной А. С. Особенности формирования электронной плотности в кристаллах с решеткой NaCl // Журнал структурной химии. 2001 Т. 42. № 2. С. 210–216.
12. Журавлев Ю. Н., Поплавной А. С. Роль подрешеток в формировании химической связи преимущественно ионных кристаллов // Журнал структурной химии. 2001. Т. 42. № 5. 860–866.
13. Журавлев Ю. Н., Поплавной А. С. Вычисление электронной плотности MgCO3 по методу подрешеток // Физика твердого тела. 2001. Т. 43. № 11. С. 1984–1987.
14. Киселева Н. Н., Ващенко Н. Д., Гладун В. П., ЛеКлер С. Р., Джексон А. Г. Прогнозирование неорганических соединений, перспективных для поиска новых электрооптических материалов // Перспективные материалы. 1998. № 3. С. 28–32.
Review
For citations:
, , , . SibScript. 2006;(2):61-65. (In Russ.)
Views:
22
Email this article 