Зависимость энергетической структуры и химической связи соединений NaCl и AgBr от температуры
Abstract
Основная задача исследования – изучение зависимости поведения плотности распределения заряда бинарных кристаллов со структурой типа NaCl от температуры. Выбор модельных объектов исследования – NaCl и AgBr – обусловлен наличием информации о температурной зависимости параметров кристаллической решетки и факторов Дебая-Уоллера в широком интервале температур. В рамках метода функционала плотности с учетом факторов Дебая-Уоллера вычислены энергетическая зонная структура и карты распределения валентных электронов соединений NaCl и AgBr в широком интервале температур. С целью изучения генезиса энергетического спектра исследуемых соединений использовался метод подрешеток. Температурная зависимость энергетического спектра кристаллов учитывалась в рамках теории Антончика, Брукса и Ю. Показано, что под воздействием температуры происходит перераспределение плотности заряда валентных электронов на связях между атомами, образующими кристалл, что способствует ослаблению этих связей.
About the Authors
Юрий БасалаевRussian Federation
Павел Демушин
Russian Federation
Екатерина Китова
Russian Federation
Анатолий Поплавной
Russian Federation
References
1. Акустические кристаллы. Справочник / под. ред. М. П. Шаскольской. М: Наука, 1982. 632 с.
2. Gupta R. К. Meansquare amplitudes of vibration for ionic crystals // Phys. Rev. B. 1975. V. 12. N 10. PP. 4452–4459.
3. Takahashi H., Tamaki S., Sato S. Electron density distribution in AgBr // J. Phys. Soc. Jap. 1987. V. 56. N 7. PP. 3593–3597.
4. Nield V. M., Keen D. A., Hayes W., McGreevy R. L. Structural charges in silver bromide at the melting point // J. Phys. Condens. Matter. 1992. V. 4. N 32. P. 6703–6714.
5. Журавлев Ю. H., Басалаев Ю. М., Поплавной А. С. Особенности формирования электронной плотности в кристаллах с решеткой NaCl // Журнал структурной химии. 2001. Т. 42. № 2. С. 210–216.
6. Басалаев Ю. М., Полыгалов Ю. И., Поплавной А. С. Температурная зависимость энергетических уровней в полупроводниковых соединениях А2В4С52 // ФТП. 1991. Т. 2. № 5. С. 952–954.
Review
For citations:
, , , . SibScript. 2006;(2):57-61. (In Russ.)