ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КОНТАКТОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ IRSİ – Sİ
Аннотация
Основная цель работы исследование особенностей роста силицида иридия и методика изготовления фоточувствительных элементов на основе силицида иридия – кремния. Изучены поверхности IrSi – n – Si и IrSi – р – Si полученные магнетронным распылением.
Обнаружено, что на поверхности IrSi, полученных магнетронным распылением, в атмосфере N2 наблюдается отверстия, такие же дефекты наблюдается в IrSi, полученных методом термического испарения в вакууме. Уменьшение размеров дефектов при отжиге в смеси газов N2 + H2 + O2 объясняется тем, что иридий разлагает нейтральные атомы водорода, которые в свою очередь взаимодействуют с адсорбированным кислородом и при повышении температуры либо десорбируют, либо вытесняются на поверхность кремния.
Ключевые слова
Барьер Шоттки,
силицид иридия,
геометрический шум,
фоточувствительность,
Шоттки – матрицы,
отжиг,
диодные структуры
Список литературы
1. Мюрарка, Ш. Силициды для СБИС / Ш. Мюрарка. – М.: Мир, 1986. – С. 136 – 137.
2. Тришенков, М. А. Фотоприемные устройства и ПЗС / М. А. Тришенков. – М.: Радио и связь, 1992. – 400 с.
3. Elliott, С. T. Future infrared detector technologies / С. Т. Elliott // Fourth Int. Conf. on Advanced Infrared Detectors and Systems. – 1990. – P. 61 – 66.
4. Byrne, C. F. Infrared photodiodes formed in mercury cadmium telluride grown by MOCVD / C. F. Byrne, P. Knowles // Semicond. Sci. Technol. – 1988. – № 3. – P. 377 – 381.
Рецензия
Для цитирования:
Керимов Э.А. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КОНТАКТОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ IRSİ – Sİ. Вестник Кемеровского государственного университета. 2013;(3-1):165-169.
For citation:
Kerimov E.A. ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF CONTACTS WITH IRSI – SI SCHOTTKY BARRIER. SibScript. 2013;(3-1):165-169. (In Russ.)
Просмотров:
327
Послать статью по эл. почте 