kemsuСибСкриптSibScript2949-21222949-2092Kemerovo State Universitykemsu-5789Research ArticleЕстественные наукиЭнергетическая зонная структура и химическая связь в кристаллах CdSnSb2БасалаевЮрий Михайловичymbas@mail.ruКитоваЕкатерина БорисовнаПерминаВиктория СергеевнаПоплавнойАнатолий СтепановичКемеровский государственный университетRussian Federation200612032025026165Copyright © Басалаев Ю.М., Китова Е.Б., Пермина В.С., Поплавной А.С., 20252025Басалаев Ю.М., Китова Е.Б., Пермина В.С., Поплавной А.С.Басалаев Ю.М., Китова Е.Б., Пермина В.С., Поплавной А.С.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.sibscript.ru/jour/article/view/5789

На основе методов эмпирического псевдопотенциала, функционала плотности и метода подрешеток впервые вычислены энергетическая зонная структура и карты распределения валентных электронов полупроводникового соединения CdSnSb2, синтез которого затруднен технологическими проблемами, обусловленными его специфическими физико-химическими свойствами.

полупроводникивалентностьхалькопиритытемпературы плавленияметоды подрешетокReferencesGoodman С. Н. L. The prediction of semiconducting properties of inorganic compounds // J. Phys. Chem. Sol. 1958. V. 6. № 4. P. 305–314.Goodman С. Н. L. The prediction of semiconducting properties of inorganic compounds // J. Phys. Chem. Sol. 1958. V. 6. № 4. P. 305–314.Полупроводники А2В4С52 / под. общ. ред. H. А. Горюновой, Ю. А. Валова. М.: Советское радио, 1974. 374 с.Полупроводники А2В4С52 / под. общ. ред. H. А. Горюновой, Ю. А. Валова. М.: Советское радио, 1974. 374 с.Continenza A., Massidda S., Freeman A. J., Pascale de Т. M., Meloni F., Serra M. Structural and electronic properties of narrow-gap ABC2 chalcopyrite semiconductors // Phys. Rev. B. 1989. V. 46. N 16. P. 10070–10077.Continenza A., Massidda S., Freeman A. J., Pascale de Т. M., Meloni F., Serra M. Structural and electronic properties of narrow-gap ABC2 chalcopyrite semiconductors // Phys. Rev. B. 1989. V. 46. N 16. P. 10070–10077.Хейне В., Коэн М., Уэйр Д. Теория псевдопотенциала. М: Мир, 1973. 557 с.Хейне В., Коэн М., Уэйр Д. Теория псевдопотенциала. М: Мир, 1973. 557 с.Рангелов И. М. Интерполяционные формфакторы кристаллического потенциала // ФММ, 1982. Т. 53. № 4. С. 628–638.Рангелов И. М. Интерполяционные формфакторы кристаллического потенциала // ФММ, 1982. Т. 53. № 4. С. 628–638.Weisz G. Band structure and Fermi surface of white tin // Phys. Rev. 1966. V. 149. № 2. P. 504–518.Weisz G. Band structure and Fermi surface of white tin // Phys. Rev. 1966. V. 149. № 2. P. 504–518.Herman F., Skilman S. Atomic structure calculation. NY.: Prentice-Hall, Englewood Cliffs, 1963. 430 р.Herman F., Skilman S. Atomic structure calculation. NY.: Prentice-Hall, Englewood Cliffs, 1963. 430 р.Полыгалов Ю. И., Басалаев Ю. М., Золотарев М. Л., Поплавной А. С. Зонная структура, плотность состояний и оптические свойства ZnSnSb2 // ФТП. 1989. Т. 23. № 2. С. 279–282.Полыгалов Ю. И., Басалаев Ю. М., Золотарев М. Л., Поплавной А. С. Зонная структура, плотность состояний и оптические свойства ZnSnSb2 // ФТП. 1989. Т. 23. № 2. С. 279–282.Shirakata S., Isomura S. Calculation of electronic energy band structure of II-IV-V2 type chalcopyrite semiconductors by empirical pseudo-potential metod // Memoirs of the Faculty of Eng. Ehime Univ. 1997. 16. P. 69–82Shirakata S., Isomura S. Calculation of electronic energy band structure of II-IV-V2 type chalcopyrite semiconductors by empirical pseudo-potential metod // Memoirs of the Faculty of Eng. Ehime Univ. 1997. 16. P. 69–82Shirakata S., Matsishima S., Isomura S., Kohyama M. Application of semiempirical tight-binding method to band calculation of chalcopyrite semiconductors // Memoirs of the Faculty of Eng. Ehime Univ. 1997. V. 16. P. 83–100.Shirakata S., Matsishima S., Isomura S., Kohyama M. Application of semiempirical tight-binding method to band calculation of chalcopyrite semiconductors // Memoirs of the Faculty of Eng. Ehime Univ. 1997. V. 16. P. 83–100.Журавлев Ю. H., Басалаев Ю. М., Поплавной А. С. Особенности формирования электронной плотности в кристаллах с решеткой NaCl // Журнал структурной химии. 2001 Т. 42. № 2. С. 210–216.Журавлев Ю. H., Басалаев Ю. М., Поплавной А. С. Особенности формирования электронной плотности в кристаллах с решеткой NaCl // Журнал структурной химии. 2001 Т. 42. № 2. С. 210–216.Журавлев Ю. Н., Поплавной А. С. Роль подрешеток в формировании химической связи преимущественно ионных кристаллов // Журнал структурной химии. 2001. Т. 42. № 5. 860–866.Журавлев Ю. Н., Поплавной А. С. Роль подрешеток в формировании химической связи преимущественно ионных кристаллов // Журнал структурной химии. 2001. Т. 42. № 5. 860–866.Журавлев Ю. Н., Поплавной А. С. Вычисление электронной плотности MgCO3 по методу подрешеток // Физика твердого тела. 2001. Т. 43. № 11. С. 1984–1987.Журавлев Ю. Н., Поплавной А. С. Вычисление электронной плотности MgCO3 по методу подрешеток // Физика твердого тела. 2001. Т. 43. № 11. С. 1984–1987.Киселева Н. Н., Ващенко Н. Д., Гладун В. П., ЛеКлер С. Р., Джексон А. Г. Прогнозирование неорганических соединений, перспективных для поиска новых электрооптических материалов // Перспективные материалы. 1998. № 3. С. 28–32.Киселева Н. Н., Ващенко Н. Д., Гладун В. П., ЛеКлер С. Р., Джексон А. Г. Прогнозирование неорганических соединений, перспективных для поиска новых электрооптических материалов // Перспективные материалы. 1998. № 3. С. 28–32.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.