В настоящей работе, которая является продолжением проводимых в нашей лаборатории исследований природы и закономерностей процессов в индивидуальных и гетеросистемах на основе оксида вольфрама (VI) до, в процессе и после индивидуального и комплексного воздействия различных энергетических факторов, представлены результаты систематических исследований кинетических закономерностей протекания тока в системах Cu – WO3 – Cu в зависимости от величины (в диапазоне ± 10 В) и полярности внешнего поля, толщины слоев WO3 (в интервале 20–100 нм) времени выдержки с момента приготовления образцов до начала измерения (от 2 до 180 часов), материала подложки (фторопласт 4, стекло ГОСТ 9284-59). Объектами исследования плслужили пленки оксида вольфрама (VI). В качестве электродов была выбрана медь. В результате воздействия внешнего напряжения в диапазоне ± 10 В запасания энергии в системах Cu – WO3 – Cu не наблюдается. Значения стационарного тока в системах Cu – WO3 – Cu зависят от толщины пленки WO3. Обнаружено аномальное увеличение стационарного тока при толщине пленок WO3 ≈ 35 нм. Установлено влияние материала подложки на кинетические закономерности тока релаксации в системах Cu – WO3 – Cu. В результате постпроцессов релаксация систем Cu – WO3 – Cu на стеклянных носителях завершается через ~ 48 часов, а на фторопластовых носителях через ~ 180 часов.