Elchin A. Kerimov – Candidate of Physics and Mathematics, Associate Professor, Head of the Department
Основная цель работы исследование особенностей роста силицида иридия и методика изготовления фоточувствительных элементов на основе силицида иридия – кремния. Изучены поверхности IrSi – n – Si и IrSi – р – Si полученные магнетронным распылением.Обнаружено, что на поверхности IrSi, полученных магнетронным распылением, в атмосфере N2 наблюдается отверстия, такие же дефекты наблюдается в IrSi, полученных методом термического испарения в вакууме. Уменьшение размеров дефектов при отжиге в смеси газов N2 + H2 + O2 объясняется тем, что иридий разлагает нейтральные атомы водорода, которые в свою очередь взаимодействуют с адсорбированным кислородом и при повышении температуры либо десорбируют, либо вытесняются на поверхность кремния.
Holes in N2 atmosphere were detected on the IrSi surface, obtained by magnetron spraying, the same defects are observed in IrSi, obtained by method of thermal evaporation in vacuum. The decrease in defects size by annealing in a N2 + H2 + O2 gas mixture is due to iridium decomposing the neutral hydrogen atoms, which in turn interact with the adsorbed oxygen, and are further desorbed or replaced to the silicon surface by temperature increasing.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.