kemsuСибСкриптSibScript2949-21222949-2092Kemerovo State Universitykemsu-1489Research ArticleФизикаPHYSICSВКЛАД РЕЗОНАНСНОГО РАССЕЯНИЯ КВАЗИДВУХИ ТРЕХМЕРНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В УШИРЕНИЕ КРИВОЙ КЛАССИЧЕСКОГО ЦИКЛОТРОННОГО РЕЗОНАНСАCONTRIBUTION OF RESONANCE SCATTERING OF QUASI-TWOAND THREE-DIMENSIONAL MOBILE CARRIERS TO DISSIPATION OF CLASSICAL CYCLOTRON RESONANCE CURVEМуратовТ. Т.MuratovТ. Т.

Муратов Темур Ташкабаевич – старший преподаватель кафедры методики преподавания физики.temur-muratov@yandex.ru, tgpu_info@edu.uz

Temur T. Muratov – Senior Lecturer at the Department of Methodology of Teaching Physics

temur-muratov@yandex.ruТашкентский государственный педагогический университет имени НизамиРоссияNizami Tashkent State Pedagogical UniversityRussian Federation20142803201603-1153161Copyright © Муратов Т.Т., 20142014Муратов Т.Т.Muratov Т.Т.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.sibscript.ru/jour/article/view/1489

Получены асимптотические формулы для уширения кривой поглощения классического циклотронного резонанса (ЦР) в условиях резонансного рассеяния электронов на атомах примеси. Расчеты проведены с учетом распределения Максвелла. Оценки показывают, что возможный виртуальный уровень (~ 0,4 мэВ) в квазидвумерных полупроводниках на порядок меньше чем в объемных (порядка мэВ), это указывает на то, что область температур соответствующих резонансному рассеянию электронов в квазидвухмерных полупроводниках менее 1K. 2D полуширина линии поглощения достигает максимума при 0,2 K. Зафиксирована температурная щель (0,2 ÷ 0,62) K в спектре поглощения, это указывает на то, что более совершенная теория уширения требует учета рассеяния электронов на приповерхностных акустических фононах, 2D ионах примеси и квантовых поправок.

Получены асимптотические формулы для уширения кривой поглощения классического циклотронного резонанса (ЦР) в условиях резонансного рассеяния электронов на атомах примеси. Расчеты проведены с учетом распределения Максвелла. Оценки показывают, что возможный виртуальный уровень (~ 0,4 мэВ) в квазидвумерных полупроводниках на порядок меньше чем в объемных (порядка мэВ), это указывает на то, что область температур соответствующих резонансному рассеянию электронов в квазидвухмерных полупроводниках менее 1K. 2D полуширина линии поглощения достигает максимума при 0,2 K. Зафиксирована температурная щель (0,2 ÷ 0,62) K в спектре поглощения, это указывает на то, что более совершенная теория уширения требует учета рассеяния электронов на приповерхностных акустических фононах, 2D ионах примеси и квантовых поправок.

циклотронный резонансуширениерезонансное рассеяниеасимптотические формулыcyclotron resonancedissipationresonance scatteringasymptotic formulasReferencesАнсельм А. И. Влияние резонансного рассеяния носителей тока на центрах примесей на электричские свойства атомных полупроводников // ЖЭТФ. 1953. Т. 24. Вып. 1. С. 83 – 89.Ансельм А. И. Влияние резонансного рассеяния носителей тока на центрах примесей на электричские свойства атомных полупроводников // ЖЭТФ. 1953. Т. 24. Вып. 1. С. 83 – 89.Имамов Э. З., Колчанова Н. М., Крещук Л. Н., Яссиевич И. Н. // ФТТ. 1985. Т. 27. Вып. 1. С. 69 – 76.Имамов Э. З., Колчанова Н. М., Крещук Л. Н., Яссиевич И. Н. // ФТТ. 1985. Т. 27. Вып. 1. С. 69 – 76.Муратов Т. Т. Формализм «магнетосечений» D –(A +)-центров при резонансном рассеянии носителей заряда в невырожденных полупроводниках // Вестник НГУ. 2013. Вып. 3. Т. 8. С. 142 – 158. (Серия: Физика).Муратов Т. Т. Формализм «магнетосечений» D –(A +)-центров при резонансном рассеянии носителей заряда в невырожденных полупроводниках // Вестник НГУ. 2013. Вып. 3. Т. 8. С. 142 – 158. (Серия: Физика).Андреев С. П., Павлова Т. В., Небогатов В. А. Уширение кривой классического циклотронного резонанса нейтральными примесями в двухи трехмерных полупроводниках // Труды научной сессии НИЯУ МИФИ. 2010. Т. 3: Современные проблемы физики конденсированного состояния. С. 89 – 92.Андреев С. П., Павлова Т. В., Небогатов В. А. Уширение кривой классического циклотронного резонанса нейтральными примесями в двухи трехмерных полупроводниках // Труды научной сессии НИЯУ МИФИ. 2010. Т. 3: Современные проблемы физики конденсированного состояния. С. 89 – 92.Erginsoy C. Neutral Impurity Scattering in Semiconductors // Phys. Rev. 1950. Vol. 79. P. 1013 – 1014.Erginsoy C. Neutral Impurity Scattering in Semiconductors // Phys. Rev. 1950. Vol. 79. P. 1013 – 1014.Блатт Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах. М.: Мир, 1971. 470 с.Блатт Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах. М.: Мир, 1971. 470 с.Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика: нерелятивистская теория. М.: Наука, 1989. 767 с.Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика: нерелятивистская теория. М.: Наука, 1989. 767 с.Градштейн И. С., Рыжик И. М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. М.: Наука, 1971. 1108 с.Градштейн И. С., Рыжик И. М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. М.: Наука, 1971. 1108 с.Олвер Ф. Введение в асимптотические методы и специальные функции. М.: Наука, 1978. 375 с.Олвер Ф. Введение в асимптотические методы и специальные функции. М.: Наука, 1978. 375 с.Неверов В. Н., Титов А. Н. Физика низкоразмерных систем. Екатеринбург, 2008. 232 с.Неверов В. Н., Титов А. Н. Физика низкоразмерных систем. Екатеринбург, 2008. 232 с.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.